日立FIB-SEM三束系統(tǒng)
簡要描述:日立FIB-SEM三束系統(tǒng)追求的TEM樣品制備工具在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域,F(xiàn)IB-SEM已成為*的工具。近來,目標(biāo)觀察物更趨微細化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。
- 產(chǎn)品型號:NX2000
- 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
- 更新時間:2023-06-20
- 訪 問 量:1491
產(chǎn)品詳情
日立FIB-SEM三束系統(tǒng)追求的TEM樣品制備工具
在設(shè)備及高性能納米材料的評價和分析領(lǐng)域,F(xiàn)IB-SEM已成為*的工具。
近來,目標(biāo)觀察物更趨微細化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。
日立高新公司,整合了高性能FIB技術(shù)和高分辨SEM技術(shù),再加上加工方向控制技術(shù)以及Triple Beam®*1(選配)技術(shù),推出了新一代產(chǎn)品NX2000
運用高對比度,實時SEM觀察和加工終點檢測功能,可制備厚度小于20 nm的超薄樣品
FIB加工時的實時SEM觀察*2例
樣品:NAND閃存
加速電壓:1 kV
FOV:0.6 µm
加工方向控制技術(shù)(Micro-sampling®*3系統(tǒng)(選配)+高精度/高速樣品臺*)對于抑制窗簾效應(yīng)的產(chǎn)生,以及制作厚度均一的薄膜類樣品給予厚望。
加工方向控制
常規(guī)加工時
Triple Beam®*1(選配)可提高加工效率,并能使消除FIB損傷自動化
EB:Electron Beam(電子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦離子束)
Ar:Ar ion beam(Ar離子束)
項目 | 內(nèi)容 |
---|---|
FIB鏡筒 | |
分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速電壓 | 0.5~30 kV |
束流 | 0.05 pA ~ 100 nA |
FE-SEM鏡筒 | |
分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
加速電壓 | 0.5~30 kV |
電子槍 | 冷場場發(fā)射型 |
探測器 | |
標(biāo)準(zhǔn)検出器 | In-lens 二次電子探測器/樣品室二次電子探測器/背散射電子探測器 |
樣品臺 | X:0 ~ 205 mm Y:0 ~ 205 mm Z:0 ~ 10 mm R:0 ~ 360°連續(xù) T:-5 ~ 60° |